CFD模拟RPCVD的正交法优化设计与分析

• 作者: 戴显英 邵晨峰 郑若川 郝跃 郭静静
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 正交法 计算流体动力学 减压化学气相淀积 锗硅
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 页码范围: 72-78
• 页数: 7页
• 分类号: TN304|O351.2
• 字数: 4070字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2013.04.012

摘要

采用正交法对减压化学气相淀积生长SiGe材料的多因素、多水平计算流体动力学模拟进行优化设计.采用FLUENT软件,对正交优化设计的试验进行了密度、速度及压强分布的模拟.对生长表面9点位置处的模拟结果进行了极差和方差分析,得到了最终的模拟优化工艺参数.正交法设计的模拟优化参数与实际工艺实验参数相一致,低温生长应变SiGe的优化模拟参数为流量1.67×10-4 m3/s,基座温度823K,反应室压强2 666.44 Pa;高温生长弛豫SiGe的优化模拟参数为流量1.67×10-4 m3/s,基座温度1 123K,反应室压强7 999.32 Pa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室	55	329	10.0	15.0
2	郝跃	西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室	312	1866	17.0	25.0
3	郑若川	西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室	2	11	2.0	2.0
4	郭静静	西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室	1	5	1.0	1.0
5	邵晨峰	西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室	1	5	1.0	1.0