掺杂Sn,Bi的Ge2Sb2Te5相变存储靶材制备和薄膜性能研究

• 作者: 储茂友 林阳 王星明 白雪 陈洋 韩沧
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 相变存储 掺杂改性 靶材
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 60-64
• 分类号: TP333
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2013.01.011

摘要

在前期Ge-Sb-Te基相变存储材料Ge2 Sb2 Te5靶材和薄膜制备研究的基础上,分别选取掺杂5.6％(原子分数)的Sn,Bi作为添加剂对其进行掺杂改性.采用热压法制备出高主相含量、高致密度六方结构Ge2Sb2Te5基靶材.常温下沉积的薄膜为非晶态,经150 ～ 350℃退火处理,薄膜相结构经历了由非晶态到立方相再到六方相的相转变过程.掺杂5.6％(原子分数)的Sn在入射光波长为500 nm时的反射率对比度相比未掺杂薄膜提高了14％,该薄膜潜在的光存储性能更好.掺杂Sn,Bi后结晶态与非晶态间的电阻率差异度有所增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	储茂友		25	211	10.0	14.0
2	白雪		13	34	3.0	5.0
3	王星明		24	157	9.0	12.0
4	韩沧		5	28	2.0	5.0
5	陈洋		8	21	2.0	4.0
6	林阳		2	4	1.0	2.0