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纳米二氧化硅诱导A549细胞损伤及其氧化应激机制
纳米二氧化硅诱导A549细胞损伤及其氧化应激机制
作者:
叶亚婧
张渊
焦常平
高峰
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
二氧化硅
纳米粒子
自由基
细胞凋亡
摘要:
目的 探讨纳米二氧化硅(SiO2)诱导细胞损伤的作用机制研究.方法 噻唑蓝比色(MTT)法检测20 nm和50 nm SiO2 0~1000 mg·L-1处理A549细胞24 h对细胞存活率的影响.纳米SiO2 25,50和100 mg·L-1处理细胞24 h后,检测细胞内超氧阴离子(O2-·)、羟自由基(·OH)、过氧化氢(H2O2)、一氧化氮自由基(NO·)、活性氧(ROS)、丙二醛(MDA)含量以及细胞膜ATP酶的活性变化;采用荧光显微镜观察凋亡坏死细胞形态.结果20 nm和50 nm SiO2对A549细胞的半数致死量(LD50)分别为30 ±4和(120±14)mg·L-1.与正常对照组比较,纳米SiO2引起A549细胞内O2-,·OH,H2O2和NO·含量显著增加(P<0.05),ROS过量产生(P<0.05),脂质过氧化物MDA含量显著升高(P<0.05),且细胞存活率与ROS及MDA含量呈现明显的负相关性(R2=0.954和R2=0.937),ATP酶活性显著降低(P<0.05);Hoechst33342/PI双荧光染色法观察到明显的细胞凋亡与坏死.结论纳米SiO2可诱导细胞自由基过量生成,氧化应激反应加剧,导致脂质过氧化反应、细胞膜受损和细胞功能障碍,以及引发细胞凋亡与坏死,产生细胞毒性.
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文献信息
篇名
纳米二氧化硅诱导A549细胞损伤及其氧化应激机制
来源期刊
中国药理学与毒理学杂志
学科
医学
关键词
二氧化硅
纳米粒子
自由基
细胞凋亡
年,卷(期)
2013,(6)
所属期刊栏目
论著
研究方向
页码范围
995-999
页数
5页
分类号
R99
字数
3091字
语种
中文
DOI
10.3867/j.issn.1000-3002.2013.06.013
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
张渊
上海市第一人民医院药剂科
11
63
6.0
7.0
2
高峰
华东理工大学上海市功能性材料化学重点实验室
24
66
5.0
6.0
11
叶亚婧
华东理工大学上海市新药设计重点实验室
4
57
3.0
4.0
15
焦常平
华东理工大学上海市功能性材料化学重点实验室
1
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2008(1)
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参考文献(4)
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二级引证文献(0)
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研究主题发展历程
节点文献
二氧化硅
纳米粒子
自由基
细胞凋亡
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国药理学与毒理学杂志
主办单位:
军事医学科学院毒物药物研究所
中国药理学会
中国毒理学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-3002
CN:
11-1155/R
开本:
大16开
出版地:
北京太平路27号
邮发代号:
82-140
创刊时间:
1986
语种:
chi
出版文献量(篇)
2901
总下载数(次)
9
总被引数(次)
24241
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