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MgZnO半导体材料光致发光以及共振拉曼光谱研究
MgZnO半导体材料光致发光以及共振拉曼光谱研究
作者:
吴天准
张权林
汤子康
王玉超
苏龙兴
陈明明
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
MgZn1-xO
分子束外延
X射线衍射
光致发光
共振拉曼光谱
摘要:
用分子束外延设备在c面蓝宝石衬底上生长得到高质量MgxZn1-xO薄膜.X射线衍射显示,当Mg摩尔分数在0~ 32.7%范围内时,薄膜保持六方结构,(002)衍射峰半高宽为0.08°~0.12°,薄膜结晶质量与现有报道的最高水平相当.随着薄膜中Mg含量的增加,紫外发光峰由378 nm蓝移至303 nm.对Mg0.108Zn0.892O薄膜变温光致发光光谱的研究发现,束缚激子发光随温度变化存在两个不同的猝灭过程.对不同Mg含量薄膜共振拉曼光谱的研究发现,A1(LO)声子模频移与Mg含量在一定范围内呈线性关系,这为确定MgxZn1-xO薄膜中的Mg含量提供了一种简单高效的方法.通过拉曼光谱与X射线衍射对比研究发现,拉曼光谱在确定MgZnO材料相变时具有更高的灵敏度.最后,研究了Mg0.057Zn0.943O薄膜的变温共振拉曼光谱,对A1(LO)和A1(2LO)声子模随温度而变化的现象给出了一定的理论解释.
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内容分析
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关键词热度
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文献信息
篇名
MgZnO半导体材料光致发光以及共振拉曼光谱研究
来源期刊
发光学报
学科
物理学
关键词
MgZn1-xO
分子束外延
X射线衍射
光致发光
共振拉曼光谱
年,卷(期)
2013,(9)
所属期刊栏目
材料合成及性能
研究方向
页码范围
1149-1154
页数
6页
分类号
O484.4
字数
2388字
语种
中文
DOI
10.3788/fgxb20133409.1149
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
汤子康
中山大学理工学院光电材料国家重点实验室
7
35
3.0
5.0
3
王玉超
中山大学理工学院光电材料国家重点实验室
3
6
1.0
2.0
4
陈明明
中山大学理工学院光电材料国家重点实验室
3
6
1.0
2.0
5
苏龙兴
中山大学理工学院光电材料国家重点实验室
5
8
2.0
2.0
6
张权林
中山大学理工学院光电材料国家重点实验室
4
6
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吴天准
中山大学理工学院光电材料国家重点实验室
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节点文献
MgZn1-xO
分子束外延
X射线衍射
光致发光
共振拉曼光谱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
发光学报
主办单位:
中国物理学会发光分会
中科院长春光机所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-7032
CN:
22-1116/O4
开本:
大16开
出版地:
长春市东南湖大路16号
邮发代号:
12-312
创刊时间:
1970
语种:
chi
出版文献量(篇)
4336
总下载数(次)
7
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