高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池研究

• 作者: 单智发 张永 林志伟 王向武 蔡建九 陈凯轩
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 聚光光伏 三结太阳电池 隧穿电流 串联电阻 可靠性
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 241-247
• 分类号: TN304.26
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.04.001

摘要

在综述高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池的研究现状与发展趋势的基础上,对高倍聚光太阳电池的关键技术、性能提升方法和可靠性进行了研究.指出提高隧穿电流和降低串联电阻是高倍聚光三结太阳电池的关键技术,并提出了相应的解决方法.采用多异质结构隧穿结提高了隧穿电流,减小横向扩展电阻和栅线电阻降低了总的串联损耗.此外,通过分别提高GaInP顶电池和底电池禁带宽度、降低InGaAs中电池禁带宽度可进一步提高太阳电池的转换效率.最后探讨了高倍聚光太阳电池的可靠性测试标准.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林志伟		3	18	2.0	3.0
2	陈凯轩		5	19	2.0	4.0
3	蔡建九		3	20	2.0	3.0
4	张永		3	20	2.0	3.0
5	王向武		3	20	2.0	3.0
6	单智发		2	18	2.0	2.0