Zn空位及Cu掺杂对ZnTe电子结构及光学性质的影响

• 作者: 姚靖 封文江 张双 李清芳 胡舸 魏胜
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 化学
• 关键词: ZnTe 第一性原理 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 1135-1143
• 页数: 9页
• 分类号: O64
• 字数: 5368字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133409.1135

摘要

利用基于密度泛函理论框架下的平面波赝势法和广义梯度近似,计算分析了ZnTe结构本体、掺入杂质Cu(Zn0.875Cu0.125Te)及Zn空位(Zn0.875Te)体系的晶格常数及缺陷形成能,得到了不同体系的态密度、能带结构、集居数、介电函数、损失函数、吸收光谱、光电导率、复折射率及反射率.结果表明,掺杂Cu和Zn空位对ZnTe的晶胞参数、能带结构以及光学性质都产生了一定程度的影响.由于空位及杂质能级的引入,缺陷体系体积减小,晶胞参数也产生了一定的改变,同时缺陷体系禁带宽度减小并给受主能级价带顶提供n型电导性；此外,缺陷体系吸收光谱产生红移,电子在可见光区的跃迁明显增强并出现介电峰,改善了ZnTe的光学性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	封文江	沈阳师范大学物理科学与技术学院	38	145	6.0	10.0
2	胡舸	重庆大学化学化工学院化学系	10	59	5.0	7.0
3	张双	重庆大学化学化工学院化学系	3	11	3.0	3.0
4	李清芳	重庆大学化学化工学院化学系	1	5	1.0	1.0
5	姚靖	重庆大学化学化工学院化学系	1	5	1.0	1.0
6	魏胜	重庆大学化学化工学院化学系	1	5	1.0	1.0