导带弯曲对有限深GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中束缚极化子的影响及其压力效应

• 作者: 曹艳娟 石磊 闫祖威
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子点 束缚极化子 电子面密度
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 1128-1134
• 页数: 7页
• 分类号: O471.3
• 字数: 4380字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133409.1128

摘要

采用三角势近似界面导带弯曲,研究了有限高势垒GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中束缚极化子的结合能及其压力效应.数值计算了杂质态与声子之间相互作用对结合能的影响,同时与方形势垒进行了比较.结果表明,随着电子面密度的增加,导带弯曲效应增强,束缚极化子结合能逐渐下降.当电子面密度ns=(6.0,8.0)×1011/cm2且量子点半径R＞10 nm时,束缚极化子的结合能趋近于一个相同且较小的值.结合能的极化效应主要来自杂质与光学声子相互作用的贡献.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫祖威	内蒙古大学物理科学与技术学院	29	64	5.0	7.0
5	曹艳娟	内蒙古大学物理科学与技术学院	2	2	1.0	1.0
6	石磊	内蒙古农业大学理学院	13	28	3.0	5.0