金属/多晶锗硅肖特基接触特性的影响因素研究

• 作者: 李林青 王光伟
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: Ⅰ-Ⅴ测试 肖特基势垒高度 表观理想因子 肖特基接触的不均匀性
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 17-20
• 页数: 4页
• 分类号: TN311+.8
• 语种: 中文

摘要

用射频磁控溅射在单晶硅上沉积Si1-xGex薄膜.溅射的SiGe薄膜样品,用俄歇电子谱(AES)测定其Ge含量,约为17％,即Si0.83Ge0.17.样品分别做高温磷、硼扩散,经XRD测试为多晶态,制得n,p-poly-Si0.83Gge0.17.在n-poly-Si0.83Ge0.17上分别溅射Ni、V、W、Cu、Pt、Ti、Al、Co膜,做成金属/n-poly-Si0.83Ge0.17肖特基结.利用Ⅰ-Ⅴ测试数据进行接触参数的提取,从而定量研究金属的功函数、金属膜厚以及快热退火温度对肖特基接触特性的影响.结果发现,肖特基势垒高度(SBH)与金属的功函数有微弱的正相关,Al/n,p-poly-Si0.83Ge0.17接触存在Shannon效应,金属膜厚对Co/n,p-poly-Si0.83Ge0.17接触特性有不同的影响,随快热退火温度的升高,Ni、V、W、Co、Cu、Pt、Ti、Al八种金属在n-poly-Si0.83Ge0.17上的肖特基势垒高度和理想因子未见有一致的变化规律,但存在不均匀性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王光伟	天津职业技术师范大学电子工程学院	18	31	3.0	5.0
2	李林青	天津职业技术师范大学电子工程学院	1	0	0.0	0.0