C/C预制体孔隙率与气相硅浸渗制备C/SiC复合材料性能关系的模型研究

• 作者: 刘伟 刘荣军 曹英斌 杨会永
• 来源期刊: 玻璃钢/复合材料
• 学科: 工学
• 关键词: C/C C/SiC 孔隙率 模型 气相硅浸渗
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 基础研究
• 页码范围: 52-56
• 页数: 5页
• 分类号: TB332
• 字数: 4103字
• 语种: 中文

摘要

建立了C/C预制体孔隙率与C/SiC复合材料组成的关系模型,并通过表征不同孔隙率的C/C预制体气相硅浸渗制备的C/SiC复合材料的组成和力学性能对模型进行了验证.研究发现,实验结果与模型预测结果基本一致.随着C/C预制体孔隙率的增大,C/SiC复合材料的密度出现先上升后下降的规律,力学性能也遵从同样的规律.XRD分析和相含量测试结果均表明复合材料的相含量与模型预测结果基本一致.实验结果与模型预测结果产生偏差的主要原因是裂解碳反应不完全.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘伟		8	32	3.0	5.0
2	刘荣军		13	96	5.0	9.0
3	曹英斌		15	104	6.0	10.0
4	杨会永		4	12	2.0	3.0