原文服务方: 绝缘材料       
摘要:
以3-缩水甘油丙基醚三甲氧基硅烷(GPTMOS)为偶联剂,采用溶胶-凝胶法制备了3种不同偶联剂用量的PI/SiO2杂化薄膜,并采用红外光谱、扫描电子显微镜表征了PI/SiO2杂化薄膜的化学结构和微观结构.结果表明:偶联剂GPTMOS的加入能有效减小SiO2粒子的粒径,且能生成更加紧密的SiO2网络结构;随着偶联剂用量的增加,SiO2粒子的粒径逐渐变小.
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文献信息
篇名 偶联剂GPTMOS对PI/SiO2杂化薄膜微观结构的影响
来源期刊 绝缘材料 学科
关键词 聚酰亚胺 二氧化硅 偶联剂 微观结构
年,卷(期) 2013,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 12-14
页数 分类号 TM215
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张明艳 哈尔滨理工大学材料科学与工程学院 65 507 13.0 18.0
2 牛颖 13 29 4.0 4.0
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聚酰亚胺
二氧化硅
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微观结构
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绝缘材料
月刊
1009-9239
45-1287/TM
大16开
1966-01-01
chi
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