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偶联剂GPTMOS对PI/SiO2杂化薄膜微观结构的影响
偶联剂GPTMOS对PI/SiO2杂化薄膜微观结构的影响
作者:
张明艳
牛颖
原文服务方:
绝缘材料
聚酰亚胺
二氧化硅
偶联剂
微观结构
摘要:
以3-缩水甘油丙基醚三甲氧基硅烷(GPTMOS)为偶联剂,采用溶胶-凝胶法制备了3种不同偶联剂用量的PI/SiO2杂化薄膜,并采用红外光谱、扫描电子显微镜表征了PI/SiO2杂化薄膜的化学结构和微观结构.结果表明:偶联剂GPTMOS的加入能有效减小SiO2粒子的粒径,且能生成更加紧密的SiO2网络结构;随着偶联剂用量的增加,SiO2粒子的粒径逐渐变小.
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篇名
偶联剂GPTMOS对PI/SiO2杂化薄膜微观结构的影响
来源期刊
绝缘材料
学科
关键词
聚酰亚胺
二氧化硅
偶联剂
微观结构
年,卷(期)
2013,(1)
所属期刊栏目
研究方向
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12-14
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TM215
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语种
中文
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张明艳
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牛颖
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二氧化硅
偶联剂
微观结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
绝缘材料
主办单位:
桂林电器科学研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1009-9239
CN:
45-1287/TM
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1966-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
2892
总下载数(次)
0
总被引数(次)
19598
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