未钝化和H钝化GaN纳米线的电子结构

• 作者: 刘满仓 崔真 徐锐 李恩玲 王雪文 程旭辉 郗萌 马德明
• 来源期刊: 计算物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米线 H钝化 电子结构 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 页码范围: 277-284
• 页数: 8页
• 分类号: O471.5
• 字数: 2964字
• 语种: 中文

摘要

用密度泛函理论研究直径为9.5(A),15.9(A)和22.5 (A),未钝化和H钝化GaN纳米线的能带和态密度.结果表明:未钝化和H钝化GaN纳米线的能隙都是直接带隙,未钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径的增加减小,但是变化不明显,H钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径增大也是减小的,但是减小的幅度比未钝化的大.未钝化GaN纳米线表面N原子的2p电子主要聚集在价带顶,表面Ga原子的4p电子主要聚集在导带底,这两种电子都具有很强的局域性,而且决定着能隙值；加H钝化可以消除表面原子产生的表面效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李恩玲	西安理工大学理学院应用物理系	35	246	9.0	13.0
2	马德明	西安理工大学理学院应用物理系	23	180	9.0	12.0
3	崔真	西安理工大学理学院应用物理系	5	11	2.0	3.0
4	郗萌	西安理工大学理学院应用物理系	1	2	1.0	1.0
5	程旭辉	西安理工大学理学院应用物理系	1	2	1.0	1.0
6	徐锐	西安理工大学理学院应用物理系	1	2	1.0	1.0
7	刘满仓	西安理工大学理学院应用物理系	6	54	3.0	6.0