晶体管的盐雾试验

• 作者: 吕长志 张小玲 谢雪松 赵利 陈成菊 齐浩淳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 盐雾试验 晶体管 腐蚀 腐蚀机理 NaCl浓度
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 949-954
• 分类号: TN322.8|TN307
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.12.014

摘要

为了评价晶体管在海洋环境中的耐腐蚀性能,对3DK4C和3DK105B两种晶体管开展了两个盐雾试验的分析和研究.试验Ⅰ从外观腐蚀情况和电学参数退化两个方面对比分析了两种晶体管的耐腐蚀性,并分析了电学参数退化机理,试验结果表明相对于电参数,管壳与外引线受到盐雾的影响最显著,提高镀层的耐蚀特性是提高晶体管可靠性的关键;盐雾试验Ⅱ提出一种全新的涂层破坏方法,通过四组不同盐浓度恒定应力的加速腐蚀试验,给出了3DK105B晶体管表面涂层的腐蚀速率与盐浓度的关系,分析了盐雾腐蚀机理.试验结果可为国产晶体管的抗腐蚀性能评估提供一定的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕长志	北京工业大学电子信息与控制工程学院	60	471	12.0	18.0
2	谢雪松	北京工业大学电子信息与控制工程学院	66	554	14.0	20.0
3	张小玲	北京工业大学电子信息与控制工程学院	69	447	11.0	18.0
4	陈成菊	北京工业大学电子信息与控制工程学院	6	35	4.0	5.0
5	赵利	北京工业大学电子信息与控制工程学院	5	31	4.0	5.0
6	齐浩淳	北京工业大学电子信息与控制工程学院	4	27	3.0	4.0