Sn掺杂CdO透明导电薄膜的制备和光电性能研究

• 作者: 胡文 郑必举
• 来源期刊: 真空
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化镉 脉冲激光沉积 透明导电氧化物 霍尔效应
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 10-14
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 语种: 中文

摘要

通过脉冲激光法在石英玻璃基底上沉积了锡掺杂氧化镉(Sn-CdO)透明导电薄膜.X射线衍射,分光光度计和霍尔效应仪检测了薄膜的结构、光学和电学性能.结果表明Sn的掺杂提高了薄膜[111]方向的择优生长,而且促使了(200)晶面衍射角增大.Sn-CdO薄膜的光学禁带宽度随着Sn掺杂含量的增加而变宽.另外,适量的Sn掺杂可以明显改善CdO薄膜的电学性能,比如2.9 at％ Sn掺杂CdO薄膜的电阻率是未掺杂薄膜的十二分之一,载流子浓度是未掺杂的十三倍.因而光学和电学性能的改良使得Sn-CdO薄膜作为透明导电材料具有重要的应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑必举	昆明理工大学材料科学与工程学院	13	38	4.0	6.0
2	胡文	昆明理工大学材料科学与工程学院	11	30	4.0	5.0