标准Ge-on-SOI工艺全差分光电探测器(本期优秀论文)

• 作者: 康玉琢 张世林 毛陆虹 谢生
• 来源期刊: 光通信技术
• 学科: 工学
• 关键词: 定向耦合器 偏振分束器 锗光电探测器 全差分 光束传播法 Ge-on-SOI
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 光器件
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN491
• 字数: 2220字
• 语种: 中文

摘要

基于IME标准Ge-on-SOI工艺提出了一种全差分光电探测器结构,由定向耦合偏振分束器与锗垂直PIN光电探测器组成,可将一路由单模光纤输入的高速1550nm光信号转换为一对高速差分电信号.分析并设计了具体结构,进行了器件模拟,模拟得到定向耦合偏振分束器TE波与TM波的消光比分别为-16.7dB与-15.7dB,锗垂直PIN光电的响应度与带宽分别为0.42A/W与6.51GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹		165	736	12.0	20.0
2	张世林		109	334	8.0	11.0
3	谢生		68	232	7.0	11.0
4	康玉琢		3	3	1.0	1.0