2～4 GHz GaN MMIC功率放大器

• 作者: 刘文杰 高学邦
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 微波单片集成电路(MMIC) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 宽带 功率放大器
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 429-432,437
• 分类号: TN43|TN722.75
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.06.006

摘要

相对GaAs材料而言,GaN具有更高的击穿电压和更高的功率密度,使得GaN更适合用于宽带功率放大器的设计和实现.采用比GaAs赝配高电子迁移率晶体管更小栅宽的器件,设计和实现了一种2～4 GHz GaN微波单片集成功率放大器,达到了与GaAs大栅宽器件同样的输出功率.通过研究GaN功率器件的材料生长、器件设计、模型提取、电路匹配以及热分析等技术,并对电路的设计和工艺进行优化.在器件输入端设计了有耗匹配网络以获得宽带,在输出端设计了电抗匹配网络以降低功率损耗,提高效率.把芯片装配到测试夹具进行了10％脉冲条件下的功率测试,测试结果表明,28 V供电、工作电流为1.2A时,微波单片集成功率放大器在频带内的功率增益大于20 dB,输出功率约为10 W,功率附加效率达到30％.电路芯片尺寸为3.99 mm×2.1 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高学邦	中国电子科技集团公司第十三研究所	38	175	8.0	9.0
2	刘文杰	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	33	4.0	5.0