X波段宽带单片驱动功率放大器

• 作者: 徐全胜 曾志 高学邦
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 宽带 谐波抑制 微波单片集成电路(MMIC) 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 424-428
• 分类号: TN385|TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.06.005

摘要

基于4英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs PHEMT工艺,设计和制作了一款X波段驱动功率放大器单片集成电路.详细介绍了微波单片集成电路(MMIC)的设计方法,并对芯片进行了测试,测试结果为:在8 ～ 12 GHz频带内,功率放大器的增益大于20 dB、1 dB压缩点输出功率大于21 dBm、输入输出驻波比小于1.6∶1,单电源8V供电,电流小于80 mA.采用具有谐波抑制作用的输出匹配电路,获得了较好的谐波抑制指标,在1 dB压缩点输出功率大于21 dBm时,全频带的二次谐波抑制比均小于-40 dBc.单片电路的最终面积为2.0 mm×1.4 mm×0.1 mm,可广泛应用于各种微波系统.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高学邦	中国电子科技集团公司第十三研究所	38	175	8.0	9.0
2	曾志	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	28	3.0	5.0
3	徐全胜		3	11	2.0	3.0