原位合成MoSi2-SiC复合材料在500℃的氧化行为

• 作者: 张来启 林均品 段立辉 潘昆明
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 原位合成 MoSi2-SiC复合材料 低温氧化行为 pest现象
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 页码范围: 1303-1310
• 页数: 8页
• 分类号: TB333
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1037.2013.00527

摘要

研究了不同SiC体积分数原位合成MoSi2-SiC复合材料在500℃的氧化行为.经1000 h氧化的结果表明:复合材料的氧化抗力明显好于单一MoSi2,原位合成复合材料的氧化抗力好于传统的热压商用MoSi2粉末和SiC粉末混合物制备的复合材料(外加复合材料),复合材料氧化1000 h后未发生pest现象.其氧化动力学曲线分为:孕育期、快速氧化期和稳态氧化3个阶段.氧化膜的相组成为MoO3,非晶SiO2和β-SiC,材料的氧化过程主要是O2与MoSi2的作用,SiC未发生氧化.氧化5,10和20 h后样品表面形貌观察结果表明:材料的氧化优先在相界处发生,初生氧化物以无定形态存在；随着氧化的进行,逐渐形成MoO3晶须和非晶SiO2为主的团絮状氧化物；MoO3晶须优先在表面凸凹不平处形核并长大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林均品		112	1317	19.0	30.0
2	张来启		49	440	12.0	18.0
3	段立辉		3	0	0.0	0.0
4	潘昆明		4	18	2.0	4.0