封装的DC～4 GHz高隔离度吸收式单刀双掷开关

• 作者: 刘宇辙 孙征宇 杨洪文 苏黎明 阎跃鹏
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单刀双掷(SPDT) 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) MSOP8封装 高隔离度 吸收式
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 419-423
• 分类号: TN63
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.06.004

摘要

描述了一种基于台湾稳懋(WIN)半导体公司商用0.5 μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺的高隔离度吸收式单刀双掷射频开关芯片的设计.设计中使用两级串并结构提高隔离度,加入了吸收电阻减小关断状态下输出端的回波损耗.该芯片采用单电源5V正压控制,具有使能控制端和全关状态,且控制电平与TTL/CMOS输出电平相兼容.芯片采用8引脚微型小外形封装(MSOP8)形式进行封装,设计中通过三维电磁仿真工具HFSS分析了由封装引入的寄生参数的影响,并提取π型网络进行等效建模.该开关工作在DC ～4 GHz频段插入损耗小于1.5 dB,隔离度高于45 dB.仿真结果与实测结果基本一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阎跃鹏	中国科学院微电子研究所	101	427	9.0	13.0
2	杨洪文	中国科学院微电子研究所	10	23	3.0	4.0
3	刘宇辙	中国科学院微电子研究所	4	10	3.0	3.0
4	苏黎明	中国科学院微电子研究所	2	9	2.0	2.0
5	孙征宇	中国科学院微电子研究所	3	3	1.0	1.0