美国诺格推出新型砷化镓微波集成电路部件

• 作者: 郑畅
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 微波集成电路 砷化镓 高功率放大器 半导体器件 科技信息网 微电子产品 宇航系统 中国国防 输出功率
• 年，卷（期）: bdtxx_2013,（4）
• 页码范围: 3-3
• 页数: 1页
• 分类号: TN454

摘要

【正】据中国国防科技信息网报道,美国诺格公司研发出新的砷化镓(GaAs)E波段单片微波集成电路(MMIC)高功率放大器APH667和APH668,工作频率分别为81~86 GHz和71~76 GHz。诺格公司在2004年成为第一家提供E波段半导体器件产品的公司。诺格宇航系统微电子产品和服务部门经理Frank Kropschot称,这些新产品是诺格持续推进GaAs技术发展的证明。Frank说"客户通常将E波段的几个MMIC产品组合在一起,以取得更高输出功率。APH667和APH668将显著减少实现这些目标所需的器件数目、简