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基于正弦微纳光栅的反射式表面等离激元增强型GaN-LED
基于正弦微纳光栅的反射式表面等离激元增强型GaN-LED
作者:
张淏酥
朱振东
朱钧
李群庆
金国藩
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
光学器件
微纳光子学
表面等离子体增强型LED
微纳光栅
GaN LED
摘要:
以中心波长为650 nm的氮化镓LED外延片为研究对象,提出了一种反射式表面等离激元增强型LED来提高其发光效率.该结构包含依次覆盖在正弦起伏的p型GaN层上的一层低折射率的SiO2膜与一层Ag膜.银膜用来增强内量子效率,而SiO2层能进一步提高GaN层上表面的反射率,同时通过优化蓝宝石衬底的厚度使得GaN层下方的透射率较高,从而得到了较大的发光效率.
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文献信息
篇名
基于正弦微纳光栅的反射式表面等离激元增强型GaN-LED
来源期刊
激光与光电子学进展
学科
工学
关键词
光学器件
微纳光子学
表面等离子体增强型LED
微纳光栅
GaN LED
年,卷(期)
2013,(4)
所属期刊栏目
光学器件
研究方向
页码范围
174-179
页数
6页
分类号
TN312.8
字数
语种
中文
DOI
10.3788/LOP50.042302
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
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G指数
1
李群庆
5
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朱钧
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金国藩
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张淏酥
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朱振东
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研究主题发展历程
节点文献
光学器件
微纳光子学
表面等离子体增强型LED
微纳光栅
GaN LED
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
激光与光电子学进展
主办单位:
中国科学院上海光学精密机械研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1006-4125
CN:
31-1690/TN
开本:
大16开
出版地:
上海市嘉定区清河路390号(上海市800-211信箱)
邮发代号:
4-179
创刊时间:
1964
语种:
chi
出版文献量(篇)
9127
总下载数(次)
28
总被引数(次)
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