等离子刻蚀多晶硅问题解析

• 作者: 蔡震 马洪江
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 干法刻蚀 等离子刻蚀
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 16-17
• 页数: 2页
• 分类号: TN4
• 字数: 1420字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2013.01.006

摘要

多晶硅在MOS电路中占有极其重要的位置,掺杂后的多晶硅往往是用做栅极的导电材料.而腐蚀后的掺杂多晶硅的线宽决定了有源器件的栅长,而栅长确定了沟道长度并定义出了源漏电极的边界.湿法腐蚀多晶因其侧腐量大而不能使用,必须应用干法刻蚀,这里对多晶硅在干法刻蚀方面的一些问题进行了简要的分析及解决.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马洪江	中国电子科技集团公司第四十七研究所	5	9	3.0	3.0
2	蔡震	中国电子科技集团公司第四十七研究所	3	4	1.0	2.0