GaN基和GaAs基半导体激光器的电学特性研究

• 作者: 曹文彧 李丁 杨薇 胡晓东 贺永发 陈伟华 陈钊
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 正向交流小信号法 GaN GaAs 半导体激光器 电学特性
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 746-749,754
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文

摘要

介绍了一种能够全面表征半导体二极管器件的电学特性的方法,此方法结合半导体二极管的正向交流特性和直流特性,称之为正向交流小信号法.利用该方法深入地研究和对比分析了GaN基和GaAs基半导体激光器的电学特性,包括表观电容、串联电阻和理想因子.实验结果表明,对于GaN基和GaAs基半导体激光器,其开始发光的过程同步于其电容由正转变为负的过程.进一步实验结果表明,GaN基半导体激光器比GaAs基半导体激光器具有更大的串联电阻和更大的理想因子.这是由于GaN基激光器的器件工艺不够完善以及外延生长的GaN材料具有很大的位错密度.该研究为提高和改善GaN基激光器的性能提供了必要的依据以及理论指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨薇	北京大学宽禁带半导体中心	71	513	13.0	20.0
2	曹文彧	北京大学宽禁带半导体中心	2	17	2.0	2.0
3	陈伟华	北京大学宽禁带半导体中心	4	3	1.0	1.0
4	李丁	北京大学宽禁带半导体中心	12	94	3.0	9.0
5	胡晓东	北京大学宽禁带半导体中心	5	5	2.0	2.0
6	贺永发	北京大学宽禁带半导体中心	1	2	1.0	1.0
7	陈钊	北京大学宽禁带半导体中心	3	2	1.0	1.0