淀积温度对ZnO/Si太阳电池结构和开路电压的影响

• 作者: 史金超 宋登元 王秀香
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 硅 磁控溅射 异质结 界面 太阳电池
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 286-291,305
• 分类号: TM914.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.05.004

摘要

研究了在两种衬底温度(Tsub)下射频磁控溅射淀积铝掺杂ZnO薄膜对ZnO/Si异质结太阳电池的微结构和开路电压(Voc)的影响.在淀积温度为室温时,ZnO薄膜的光学带隙(Egopt)是3.5 eV,薄膜电阻率为9.51×10-4 Ω·cm.当淀积温度提高到250℃时发现Egopt为3.63 eV,薄膜电阻率降低到2.6×10-4Ω·cm.在两种衬底温度下制造了n-ZnO/n-Si异质结太阳电池.准静态开路电压法测量表明,在一个太阳光强(1 000 W/m2)下测量了ZnO/Si异质结太阳电池的开路电压Uoc和赝填充因子(p-FF).发现在室温下淀积的电池的Vc=346 mV、赝填充因子为0.70;而250℃淀积ZnO薄膜的电泡的Voc=431 mV、赝填充因子为0.76.太阳电池两二极管模型拟合准静态开路电压法的测量数据表明,Voc的提高是由于太阳电池中载流子复合降低引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋登元	英利集团有限公司光伏材料与技术国家重点实验室	6	51	3.0	6.0
2	王秀香	英利集团有限公司光伏材料与技术国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
3	史金超	英利集团有限公司光伏材料与技术国家重点实验室	2	0	0.0	0.0