PMMA∶C60存储器件制备及其电双稳特性

• 作者: 周聪华 张亚 张峰杰 张雷 杨兵初 黄光辉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 表面形貌 存储器件 电双稳态 阈值电压 有机物
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 433-437
• 分类号: TN389
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.06.007

摘要

采用氯苯/三氯甲烷混合溶剂配制聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA):富勒烯(C60)溶液,运用旋涂法以氧化铟锡为基底制备薄膜,运用原子力显微镜对薄膜表面形貌进行表征.制备了ITO/PMMA∶C60/Al结构的有机双稳态器件,采用伏安法对器件的电双稳态性能进行测试.最后,分析了有机层中的电荷陷阱对器件电双稳特性的影响.实验表明,当溶剂体积比为1∶1时,薄膜粗糙度较低,以此薄膜为功能层制备的器件阈值电压为5.4V,高/低电阻态的电阻比值达到32.1.器件的阈值电压随着薄膜表面粗糙的增加而加大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张雷	中南大学物理与电子学院超微结构与超快过程研究所	82	710	14.0	24.0
2	杨兵初	中南大学物理与电子学院超微结构与超快过程研究所	65	347	10.0	13.0
3	黄光辉	中南大学物理与电子学院超微结构与超快过程研究所	8	40	4.0	6.0
4	周聪华	中南大学物理与电子学院超微结构与超快过程研究所	15	46	4.0	6.0
5	张亚	中南大学物理与电子学院超微结构与超快过程研究所	3	10	2.0	3.0
6	张峰杰	中南大学物理与电子学院超微结构与超快过程研究所	2	5	2.0	2.0