CoFeB/AlOx/Ta 及 AlOx/CoFeB/Ta 结构中垂直易磁化效应的研究*

• 作者: 刘厚方 姬扬 陈希 韩秀峰
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 垂直磁各向异性 磁隧道结 随机存储器
• 年，卷（期）: 2013,（13）
• 页码范围: 137501-1-137501-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.137501

摘要

本文详细研究了在不同氧化层和铁磁层厚度情况下，底层 CoFeB/AlOx/Ta 结构和顶层 AlOx/CoFeB/Ta 结构中的垂直磁各向异性。在底层 CoFeB/AlOx/Ta 结构中观察到了垂直磁化的磁滞回线，证明了其垂直易磁化效应的存在；而在顶层 AlOx/CoFeB/Ta 结构中却没有观察到类似的磁滞回线。对这种对称结构中的非对称现象进行了分析。研究还发现不同的氧化层和铁磁层厚度均会影响层间界面相互作用的强度，从而导致结构的垂直磁化曲线矫顽力大小发生改变。这项研究将对基于 AlOx 氧化层垂直磁隧道结的研制具有重要的意义。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈希	中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室	13	99	4.0	9.0
2	韩秀峰	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	23	80	5.0	8.0
3	姬扬	中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室	42	12	2.0	2.0
4	刘厚方	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	2	25	1.0	2.0