砷化镓晶体生长设备的发展回顾

• 作者: 冯丰 王军红
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 单晶 设备 垂直布里奇曼(VB) 水平布里奇曼(HB) 垂直梯度凝固(VGF)
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 635-639
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.08.016

摘要

作为第二代半导体材料的代表,化合物半导体材料GaAs具有许多不同于Si、Ge材料的特性,能够广泛应用于发光器件(激光器,发光二极管)、光探测器(光探测器)以及高频器件等领域.为了充分利用其固有的半导体特性,提高其晶体材料的完整性,优化生产工艺,降低生产成本,国内外的研究人员开发了不同类型的专用于砷化镓单晶材料的生产设备.回顾总结了砷化镓晶体生长设备的发展历程,包括砷化镓材料的合成设备、晶体生长设备,重点介绍了目前成熟的VB、VGF单晶炉的性能特点,对比介绍了业内较为代表的设备类型,展望了砷化镓单晶炉的未来发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯丰		12	13	2.0	3.0
2	王军红		8	9	2.0	3.0