ICP刻蚀工艺对LED阵列电流输运特性的影响

• 作者: 刘建朋 曹伟伟 朱彦旭 范玉宇 邓叶
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 高压LED 电流输运
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1362-1366
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.8
• 字数: 2102字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133410.1362

摘要

在制备串联高压LED阵列工艺中,ICP刻蚀工艺引起的漏电与断路问题是高压LED电流输运特性中的核心问题.本文着重从刻蚀深度、掩模材料以及隔离槽制备方面分析了ICP刻蚀工艺对高压LED的漏电、电极开路等电流输运问题的影响.通过随机抽取样品进行电学测试并结合SEM观测,对比了不同工艺过程,得出ICP工艺是导致串联高压LED阵列中可靠性问题的主要原因.并通过优选ICP刻蚀工艺,使高压LED电流输运特性得以改善,制备出～12V的四串联高压LED阵列器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱彦旭	北京工业大学北京光电子技术实验室	21	79	6.0	8.0
2	刘建朋	北京工业大学北京光电子技术实验室	5	36	5.0	5.0
3	范玉宇	中国联通北京分公司网管中心网络分析调度中心	3	6	1.0	2.0
4	曹伟伟	北京工业大学北京光电子技术实验室	3	15	3.0	3.0
5	邓叶	北京工业大学北京光电子技术实验室	3	15	3.0	3.0