溶液激发方式对化学水浴法沉积CdS薄膜生长的影响

• 作者: 丁发柱 古宏伟 屈飞 张腾 彭星煜 王洪艳
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: CdS 化学水浴法 薄膜 生长机制
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 762-769
• 分类号: TB304.2+5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2013.05.014

摘要

化学水浴法是目前制备CdS薄膜的主流方法之一,其中对溶液实施不同的溶液激发方式会对薄膜的性能产生很大影响.采用4种不同的溶液激发方式:搅拌法、静置法、超声法、摇晃法以化学水浴法沉积了CdS薄膜.采用台阶仪、X射线衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜等系统地研究了这4种不同的溶液激发方式对CdS薄膜的生长速度、晶体结构与表面形貌的影响.实验结果表明,随着沉积时间增加,CdS薄膜的厚度都会逐渐增加并最终趋于一恒定值.搅拌法与摇晃法制备的CdS薄膜具有更快的生长速度、更大的颗粒尺寸以及更加粗糙的表面形貌.采用静置法沉积薄膜在沉积时间较短时,薄膜表面存在大面积的由尺寸12 nm的小颗粒构成的区域.随着沉积时间增加,该区域面积逐渐减小进而消失.通过对薄膜表面形貌随沉积时间增加的演化过程的研究,在一定浓度下CdS薄膜的生长是离子-离子生长机制.通过对比不同溶液激发方式沉积的CdS薄膜的表面形貌,分析了不同溶液激发方式对CdS薄膜形貌的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张腾	中国科学院大学电工研究所应用超导重点实验室	6	35	2.0	5.0
2	丁发柱	中国科学院大学电工研究所应用超导重点实验室	7	7	2.0	2.0
3	古宏伟	中国科学院大学电工研究所应用超导重点实验室	13	41	4.0	6.0
4	彭星煜	中国科学院大学电工研究所应用超导重点实验室	4	5	1.0	2.0
8	屈飞	中国科学院大学电工研究所应用超导重点实验室	3	5	1.0	2.0