功率快恢复二极管反偏ESD机理分析

• 作者: 刘钺杨 吴立成 吴郁 周东海 周新田 胡冬青 贾云鹏 金锐 魏峰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电(ESD) 快恢复二极管(FRD) 人体模型(HBM) 雪崩注入 临界场强 背景掺杂
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 629-634
• 分类号: TN306|TN31
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.08.015

摘要

功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究.采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算.基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以及平缓发展三个阶段,分析了器件内部相应的一系列复杂变化.结果表明:器件内部的“过耗尽”、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等变化,最终导致电流在pn结拐角处形成局部集中.最后,分析了器件结构参数对抗ESD能力的影响.