基于商用工艺的抗辐射触发器单元设计

• 作者: 张盛兵 樊晓桠 王少熙 王康
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 商用工艺 抗辐射 触发器
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 79-84
• 页数: 6页
• 分类号: TN783
• 字数: 4261字
• 语种: 中文

摘要

修改芯片中的电路拓扑结构以及版图结构实现抗辐射性能,并最终通过商用半导体工艺制造线生产抗辐射芯片是目前抗辐射设计的一个重要思路.论文结合双互锁单元技术(DICE)、空间冗余技术(TMR)、时间滤波技术(TS)和RC滤波技术4种加固技术,完成抗辐射D触发器单元设计.最后通过理论分析和模拟仿真验证其抗辐射性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张盛兵	西北工业大学软件与微电子学院	142	912	15.0	23.0
2	王康	西北工业大学软件与微电子学院	10	48	5.0	6.0
3	樊晓桠	西北工业大学软件与微电子学院	170	1393	17.0	29.0
4	王少熙	西北工业大学软件与微电子学院	5	4	1.0	1.0