纳秒级脉冲电源的研制

• 作者: 朱利民 聂兆磊 言勇华 赖磊捷
• 来源期刊: 机电一体化
• 关键词: 脉冲 MOSFET 纳秒 电源 占空比
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 应用·交流
• 页码范围: 55-58,65
• 页数: 5页
• 字数: 1262字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-080x.2013.03.011

摘要

根据微细电化学加工的工艺特点,采用FPGA和MOSFET设计了双MOSFET的电化学加工纳秒级脉冲电源.该脉冲电源可以提供脉宽和脉间以及占空比可调的纳秒级脉冲,输出脉宽最小可达40 ns,提高了加工过程的稳定性和加工极限能力；并利用阳极腐蚀结合湿印章的“电化学湿印章技术”实现了微细电化学加工,获得了较高的分辨率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	言勇华	上海交通大学机器人研究所	35	330	9.0	17.0
2	朱利民	上海交通大学机器人研究所	43	681	13.0	25.0
3	聂兆磊	上海交通大学机器人研究所	1	1	1.0	1.0
4	赖磊捷	上海交通大学机器人研究所	5	8	1.0	2.0