量子阱数变化对InGaN/GaN发光二极管瞬态响应的影响

• 作者: 范广涵 陈贵楚
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN LED 电路模型 上升时间
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1346-1350
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 1290字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133410.1346

摘要

理论上研究了当InGaN发光二极管(LED)有源区的量子阱数变化时,LED的大信号瞬态响应特性与这种变化的关系.结果来自于LED等效电路模型的SPICE模拟,模型参数的确定通过拟合已测量的LED的实验数据及模拟结果来实现.结果表明,LED光脉冲的上升时间随量子阱数的增加而增加,由3个量子阱构成的有源区是LED的优化结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	陈贵楚	华南师范大学光电子材料与技术研究所	18	46	5.0	6.0