单层硫化钼的研究进展

• 作者: 顾伟霞 马锡英
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硫化钼(MoS2) 高温硫化法 水热法 表面活性剂促助法 纳米电子器件
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 81-85
• 分类号: TN304.25
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.02.004

摘要

单层硫化钼(MoS2)是具有直接带隙1.8 eV的二维半导体,因其特殊的六方晶系层状结构,而具有优异的物理和化学性质.简要介绍了MoS2材料的几种主要制备方法:如高温硫化法、水热法以及表面活性剂促助法等,讨论了各种制备方法在国内外的研究现状及优缺点.给出了单层MoS2在晶体管、集成电路、逻辑运算等方面的一些应用.与硅晶体管相比其晶体管体积更小、更省电,并可减少短通道效应,电流开/关比例高于1010.这些应用说明了其可被广泛应用于未来的纳米电子器件.最后,对MoS2未来的发展方向进行了展望,认为工艺制备方法有待进一步改善,单层MoS2的应用领域也有待进一步深入拓展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马锡英	苏州科技学院数理学院	34	79	6.0	7.0
2	顾伟霞	苏州科技学院数理学院	6	34	3.0	5.0