X射线对金硅界面剂量增强效应的模拟研究

• 作者: 于新 何承发 吴正新 张磊 艾尔肯阿不列木 邓伟 郑齐文 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 蒙特卡罗方法 剂量增强因子 界面 能量沉积 体元
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 8-13
• 页数: 6页
• 分类号: TL99
• 字数: 4773字
• 语种: 中文

摘要

本文以光子与物质的相互作用机制为基础,论述了剂量增强效应的基本原理.用蒙特卡罗方法研究了金和硅交界时X射线入射产生的剂量梯度分布,通过MCNP5程序建立了一个三维的金硅界面结构模型,计算了不同厚度的金在金硅界面的剂量增强因子.计算结果表明:当X射线为30-300 keV时,界面附近硅一侧存在较大的剂量增强效应.金的厚度影响界面附近的剂量增强效果,当金的厚度为0-10 μm时,剂量增强因子随金的厚度增大；当金的厚度超过10 μm后,剂量增强因子随金厚度的增加而减少.