S波段大功率、高效率GaN HEMT器件研究

• 作者: 刘桢 吴洪江 吴阿慧 张志国 斛彦生 银军
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 内匹配 功率合成 大功率 阻抗
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 78-80,94
• 分类号: TN386.3|TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.02.003

摘要

基于国产的SiC衬底GaN外延材料,研制出大栅宽GaN HEMT单胞管芯.通过使用源牵引和负载牵引技术仿真出所设计模型器件的输入输出阻抗,推导出本器件所用管芯的输入输出阻抗.使用多节λ/4阻抗变换线设计了宽带Wilkinson功率分配/合成器,对原理图进行仿真,优化匹配网络的S参数,对生成版图进行电磁场仿真,通过LC T型网络提升管芯输入输出阻抗.采用内匹配技术,成功研制出铜-钼-铜结构热沉封装的四胞内匹配GaN HEMT.在频率为2.7～3.5 GHz、脉宽为3 ms、占空比为50％、栅源电压Vgs为-3V和漏源电压Vds为28 V下测试器件,得到最大输出功率Pout大于100 W(50 dBm),PAE大于47％,功率增益大于13 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴洪江	中国电子科技集团公司第十三研究所	49	225	8.0	10.0
2	刘桢	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	14	2.0	3.0
3	斛彦生	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	12	2.0	3.0
4	银军	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	27	4.0	5.0
5	张志国		7	48	4.0	6.0
6	吴阿慧		1	4	1.0	1.0