铌三锡管内电缆导体交流损耗计算分析模型

• 作者: 刘继承 李国平 武松涛 蒋华伟 赵玉娟
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铌三锡 管内电缆导体 应变 交流损耗
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 高压电与绝缘材料
• 页码范围: 20-25
• 页数: 6页
• 分类号: TM461|TP392
• 字数: 4914字
• 语种: 中文

摘要

为解决快变磁场中大电流和应变作用下,铌三锡(Nb3Sn)导体交流(Alternating Current,AC)损耗的模拟实验分析问题,本文进行了瞬变电磁场中宽应变区间的AC损耗计算技术探索,构建应变作用下的临界电流数学模型,把复杂变化场中基于应变的临界电流密度运用到磁滞损耗功率计算,对耦合损耗功率计算中的导体特征参数考虑应变效应,获得CICC导体AC损耗功率计算技术.在激发等离子体的快速励磁以及等离子体放电和破灭等情况下,由模拟对比分析发现应变作用算法的AC损耗功率更接近工程实际值；对比应变作用算法损耗功率和经典算法损耗功率的相对误差计算,其误差的变化小于15％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋华伟	河南工业大学信息科学与工程学院	39	183	8.0	12.0
2	武松涛	中国科学院等离子体物理研究所	105	746	13.0	19.0
3	李国平	河南工业大学信息科学与工程学院	16	73	5.0	7.0
4	赵玉娟	河南工业大学信息科学与工程学院	25	52	4.0	5.0
5	刘继承	河南工业大学信息科学与工程学院	7	45	3.0	6.0