氧对 IZO 低压无结薄膜晶体管稳定性的影响

• 作者: 张耕铭 赵孔胜 郭立强 颜钟惠
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 薄膜晶体管 无结 氧化铟锌 氧分子
• 年，卷（期）: 2013,（13）
• 页码范围: 137201-1-137201-5
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.137201

摘要

本文在室温下制备了无结结构的低压氧化铟锌薄膜晶体管，并研究了氧分压对其稳定性的影响.氧化铟锌无结薄膜晶体管具有迁移率高、结构新颖等优点，然而氧化物沟道层易受氧、水分子等影响，造成稳定性下降.在室温下，本文通过改变高纯氧流量制备氧化铟锌透明导电薄膜作为沟道层、源漏电极，分析了氧压对于氧化物无结薄膜晶体管稳定性的影响.为使晶体管在低电压(<2 V)下工作，达到低压驱动效果，本文采用具有双电层效应和栅电容大的二氧化硅纳米颗粒膜作为栅介质；通过电学性能测试，制备的晶体管工作电压仅为1 V、开关电流比大于106、亚阈值斜率小于100 mV/decade 以及场效应迁移率大于20 cm2/V·s.实验研究表明，通氧制备的氧化铟锌薄膜的电阻率会上升，导致晶体管的阈值电压向正向漂移，最终使晶体管的工作模式由耗尽型转变为增强型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭立强	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	8	97	4.0	8.0