MIT开发THz级石墨烯芯片 在光讯号上操作电子元件

• 作者: 郑畅
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 MIT THZ 铁电材料 TERAHERTZ 高迁移率 研究成果 太赫兹 铁电体 为光
• 年，卷（期）: bdtxx_2013,（4）
• 页码范围: 12-12
• 页数: 1页
• 分类号: TN43

摘要

【正】美国麻省理工学院(MIT)的研究人员们透过在两层铁电材料间夹进高迁移率的石墨烯薄膜,从而实现可直接在光讯号上操作的太赫兹(terahertz;THz)级频率晶片。根据麻省理工学院介绍,这种新材料堆叠可望带来比当今密度更高10倍的存储器,并打造出能直接在光讯号上操作的电子元件。"我们的研究成果可望为光讯号的传输与处理开启令人振奋的崭新领域,"MIT博士后研究员DafeiJin表示。这项研究是由DafeiJin以及MIT教授NicholasFang、JunXu、博士生AnshumanKumarSrivastava与前博士后研究员Kin-