4H-SiC肖特基二极管α探测器研究

• 作者: 吴健 李理 柏松 白立新 范晓强 蒋勇 陈刚 陈雨
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: α探测器 肖特基二极管 4H-SiC
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 57-61
• 页数: 5页
• 分类号: TM344.1
• 字数: 1974字
• 语种: 中文

摘要

碳化硅(SiC)是一种具有优良物理性能的宽禁带半导体材料,可作为探测器的优良探测介质.用241Am源5.486 MeV的α粒子研究4H-SiC肖特基二极管α探测器的能量分辨率和信号相对上升时间等特性.在真空室中,使SiC探测器暴露在α粒子下,SiC探测器输出良好的响应信号.SiC二极管对5.486 MeVo粒子的能量分辨率最佳可达3.4％；经前置放大器FH1047输出和示波器观测,脉冲幅度随偏压增加而稳定在(35.39±0.21)mV;脉冲上升时间随偏压增加而稳定在(137.87 ±9.44) ns.4H-SiC肖特基二极管对α粒子响应良好,可用于α粒子强度测量.结合SiC耐辐照、耐高温等特性,进一步改进后有望制成分辨率更高、上升时间更快、耐辐照的新型α探测器和中子探测器.