Ga2O3掺杂的(K0.44Na0.5Li0.06)(Nb0.89Ta0.05Sb0.06)O3无铅压电陶瓷的微观结构与性能研究

• 作者: 万洋 付玲玲 孙海玲 徐成刚 樊喜明 游庆
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 无铅压电陶瓷 KNN Ga2O3 结构 性能
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 基础理论
• 页码范围: 413-416
• 页数: 4页
• 分类号: TM282
• 字数: 2960字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2013.03.022

摘要

采用传统陶瓷烧结工艺制备了(K0.44 Na0.5Li0.06)(Nb0.89Ta0.05Sb0.06) O3+x(质量分数)Ga2O3无铅压电陶瓷,研究了掺杂不同Ga2O3含量对(K0.44 Na0.5Li0.06)(Nb0.89Ta0.05Sb0.06)O3陶瓷的晶相、微观结构和电学性能的影响.研究结果表明:x在0～2变化范围内,陶瓷为单一四方相的钙钛矿结构,具有良好的铁电性能；随着体系中Ga2O3含量的增加,陶瓷的最佳烧结温度逐渐降低；Ga2O3的掺杂导致陶瓷晶粒变小,陶瓷的铁电四方相-顺电立方相的转变温度即居里温度Tc有少许上升,但陶瓷的压电性能明显劣化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐成刚	四川师范大学化学与材料科学学院	22	133	6.0	11.0
2	万洋	四川师范大学化学与材料科学学院	2	21	2.0	2.0
3	付玲玲	四川师范大学化学与材料科学学院	2	7	2.0	2.0
4	樊喜明	四川师范大学化学与材料科学学院	1	3	1.0	1.0
5	孙海玲	四川师范大学化学与材料科学学院	1	3	1.0	1.0
6	游庆	四川师范大学化学与材料科学学院	2	7	2.0	2.0