HEMT太赫兹探测器响应度和NEP的检测与分析

• 作者: 孙建东 杨昕昕 秦华
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 太赫兹探测器 高电子迁移率晶体管(HEMT) AlGaN/GaN 响应度 噪声等效功率(NEP)
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 69-73,99
• 分类号: TN382
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.02.001

摘要

在0.8～1.1 THz内,对A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)太赫兹探测器的响应度和噪声等效功率进行了具体测试和分析.在太赫兹波辐射下,HEMT太赫兹探测器源漏端产生能被栅压灵敏调控的直流光电流.该型探测器在300 K和77 K下的电流响应度分别为83 mA/W和4.1 A/W,电压响应度分别为4 kV/W和50 kV/W,噪声等效功率分别达到22 pW/Hz0.5和1pW/Hz0.5.采用两种较为典型的测量方法,通过对实验结果的比较,确定了影响该类型探测器的响应度和噪声等效功率的主要因素,并提出了增强响应度和降低噪声等效功率的具体措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦华	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室	7	38	3.0	6.0
2	孙建东	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室	4	10	2.0	3.0
3	杨昕昕	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室	4	12	2.0	3.0