RFID中非易失存储单元及灵敏放大电路的设计

• 作者: 冯鹏 刘肃 吴南健 张胜广 贾晓云
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS标准工艺 非易失性 存储单元 灵敏放大电路 射频识别(RFID)
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 413-418
• 分类号: TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.06.003

摘要

针对无源超高额射频识别标签芯片的应用需求设计了一种非易失性存储单元及其灵敏放大电路.该存储单元包括了两个浮栅节点并利用隧道效应(FN)隧穿机制来实现电子向浮栅的注入和擦除,因此其具有较低的编程功耗和较高的数据存储可靠性.为了减小存储单元的面积并进一步降低编程功耗,还采用了厚度仅为4 nm的栅氧作为隧穿结.此外,还设计了一种适合于该存储单元的灵敏放大电路,不仅可以读取存储数据,还可配合存储单元进行数据的擦写操作,从而简化存储单元的设计.基于0.18 μm单多晶硅标准CMOS工艺实现了该存储单元及其灵敏放大电路,其单元面积仅为108 μm2,经测试表明该存储单元可配合灵敏放大电路实现数据的正确读写,编程电压约为6V,在擦写次数达到10 000次后,仍具有1.5V的阈值窗口.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯鹏	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	11	83	5.0	9.0
2	刘肃	兰州大学物理与科学技术学院微电子研究所	68	261	9.0	11.0
3	吴南健	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	30	136	8.0	10.0
4	张胜广	兰州大学物理与科学技术学院微电子研究所	3	14	3.0	3.0
5	贾晓云	兰州大学物理与科学技术学院微电子研究所	2	9	2.0	2.0