基于溅射技术的ZnO/Si异质结太阳电池研究

• 作者: 宋登元
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 硅 溅射 光伏 异质结 太阳电池
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 401-406
• 分类号: TN304.21|TN366
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.06.001

摘要

ZnO是一种光电性能优异的半导体材料.由于ZnO的宽禁带、良好的电导率和高的可见光谱的透光率,使ZnO非常适合作为异质结太阳电池的发射极及薄膜电池的透明导电电极材料.由于ZnO/Si异质结太阳电池具有制造温度低、价格低廉和高效率的优点,成为太阳电池的重点研究对象.首先综述了铝掺杂ZnO薄膜的晶体结构特性、光学特性和电学特性,随后给出了ZnO/Si异质结太阳电池的量子效率、电流-电压(I-V)特性、电容-电压(C-V)特性、载流子输运机制、光伏特性及太阳电池的效率进展,最后论述了ZnO/Si异质结太阳电池今后发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋登元	英利集团有限公司光伏材料与技术国家重点实验室	6	51	3.0	6.0