基于各向异性磁阻的开关芯片的制备及优化

• 作者: 彭斌 徐慧中 艾明哲 贾雅婷 陈忠志
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 各向异性磁阻 NiFe薄膜 缓冲层 磁阻开关
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 工艺·技术
• 页码范围: 577-580
• 页数: 4页
• 分类号: TB332
• 字数: 2275字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法用Ta作为缓冲层,在集成电路晶元上制备NiFe薄膜,并研究分析了Ta缓冲层厚度以及Ta缓冲层溅射功率对NiFe磁阻薄膜性能的影响,通过测试结果可以得到,当溅射功率由小变大时,NiFe薄膜的磁阻值也由小变到大.当Ta层的厚度在5nm左右时,NiFe更容易形成(111)织构,这时其磁阻值也最大.利用优化后的工艺,在晶元上制备NiFe薄膜,测试结果显示出开关特性,其开关场分别在398和796A/m左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭斌	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	87	638	12.0	21.0
2	艾明哲	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	11	2.0	2.0
3	贾雅婷	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	4	1.0	1.0
4	陈忠志		1	4	1.0	1.0
5	徐慧中	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	4	1.0	1.0