锇在甲酸体系抛光液中化学机械抛光研究

• 作者: 储向峰 孙文起 张王兵 梁淼 董永平 陈均
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光(CMP) 锇(Os) 甲酸 极化曲线 过氧化氢 抑制剂
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 609-613
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.08.011

摘要

基于金属锇有可能成为大规模集成电路铜互连扩散阻挡层新材料,利用自制的甲酸(HCOOH)体系抛光液对金属锇进行了化学机械抛光研究,利用原子力显微镜(AFM)观察抛光后锇的表面形貌.采用电化学分析方法研究双氧水(H202)、HCOOH和苯丙三氮唑(BTA)对样品腐蚀效果的影响.结果表明:当抛光液中仅含H202时,金属锇表面腐蚀不明显；而在H202-HCOOH体系中,H202浓度的增加可使金属锇表面的腐蚀速度明显加快,但不利于金属锇表面钝化膜的形成；缓蚀剂BTA的加入促进了金属锇表面钝化膜的生成,降低了抛光速率,但同时提高了金属锇的表面质量,表面粗糙度Ra由8.0 nm降低到4.2 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	储向峰		59	209	6.0	11.0
2	董永平		45	183	7.0	11.0
3	张王兵		23	112	6.0	9.0
4	孙文起		15	45	3.0	6.0
5	陈均		20	93	6.0	8.0
6	梁淼		3	2	1.0	1.0