电化学沉积制备ZnO纳米棒阵列薄膜的研究

• 作者: 孙大鹏 米龙飞 蒋阳 赵艳猛
• 来源期刊: 安徽化工
• 学科: 化学
• 关键词: 电化学沉积 ZnO 纳米棒阵列 工艺条件
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 科研与开发
• 页码范围: 15-16
• 页数: 2页
• 分类号: O646
• 字数: 1703字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-553X.2013.05.005

摘要

通过对不同沉积电压与沉积时间的研究,确定了电化学沉积ZnO纳米棒阵列的最佳工艺条件.在-0.5V沉积电压下沉积20h制备出了ZnO纳米棒阵列薄膜,研究结果表明:纳米棒阵列均匀致密,直径在200nm左右,并且具有高度的c轴择优取向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋阳	合肥工业大学材料科学与工程学院	46	317	10.0	15.0
2	米龙飞	合肥工业大学材料科学与工程学院	1	5	1.0	1.0
3	赵艳猛	合肥工业大学材料科学与工程学院	1	5	1.0	1.0
4	孙大鹏	合肥工业大学材料科学与工程学院	1	5	1.0	1.0