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摘要:
介绍基于耿氏效应的器件在太赫兹领域的研究,详细地阐述耿氏二级管的原理、工艺流程、关键技术的解决和耿氏二极管频率和功率的提高等.重点介绍耿氏二极管的封装工艺和耿氏二极管腔体的具体结构.系统论述通过制备腔体需要的关键尺寸,如腔体内部尺寸、波导型号,从而提取基波与谐波,并提出其提高频率和功率的途径.
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文献信息
篇名 基于耿氏效应的太赫兹器件的研究进展
来源期刊 太赫兹科学与电子信息学报 学科 工学
关键词 耿氏源 太赫兹 磷化铟 耿氏管封装 耿氏管腔体
年,卷(期) 2013,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 314-318
页数 分类号 TN387|O472+.4
字数 5225字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘新宇 中国科学院微电子研究所 141 717 13.0 18.0
2 金智 中国科学院微电子研究所 30 92 5.0 8.0
3 白阳 中国科学院微电子研究所 8 66 3.0 8.0
4 武德起 中国科学院微电子研究所 4 7 2.0 2.0
5 贾锐* 中国科学院微电子研究所 1 1 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
耿氏源
太赫兹
磷化铟
耿氏管封装
耿氏管腔体
研究起点
研究来源
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期刊影响力
太赫兹科学与电子信息学报
双月刊
2095-4980
51-1746/TN
大16开
四川绵阳919信箱532分箱
62-241
2003
chi
出版文献量(篇)
3051
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7
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11167
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