SiC纳米线的制备及其发光性能的研究

• 作者: 张恩磊 张本贵 张翔 王国胜 王祝敏
• 来源期刊: 铜业工程
• 关键词: SiC 纳米线 热蒸发 异质结构 光致发光
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 材料制备与加工工程
• 页码范围: 1-3,14
• 页数: 4页
• 分类号: TB383
• 语种: 中文

摘要

采用热蒸发法,以SiO与活性碳混合粉末为原料在1400℃的条件下制备出SiC纳米线.通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能谱仪(EDS)及X-射线衍射分析(XRD)等手段对制备的SiC纳米线进行了表征及生长机理分析.研究表明:SiC纳米线表面光滑、平直,沿[111]方向生长,直径为30～60nm,长约数十微米,内部为约数十纳米的SiC晶体层外部约为2nm的SiO2层的异质机构.SiO作为硅源时的SiC纳米线产量高于其他硅源.最后通过光致发光(PL)光谱研究了SiC纳米线的PL特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王国胜	沈阳化工大学化学工程学院	82	361	10.0	14.0
2	王祝敏	沈阳化工大学化学工程学院	24	103	6.0	10.0
3	张恩磊	沈阳化工大学化学工程学院	3	46	2.0	3.0
4	张本贵	沈阳化工大学化学工程学院	2	5	1.0	2.0
5	张翔	沈阳化工大学化学工程学院	30	231	9.0	14.0