Ku波段宽带高增益单片中功率放大器

• 作者: 蒋永红
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 单片 Ku波段 高增益 功率放大器
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 585-588
• 分类号: TN304.23|TN722.75
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.08.006

摘要

介绍了一款采用四级级联结构的高增益宽带Ku波段中功率放大器单片集成电路,依据电路原理和放大器性能指标设计了电路原理图,利用ADS软件对电路图进行了电学参数优化、电磁场仿真和版图绘制.针对放大器工作频带宽和增益高,容易产生自激振荡等问题,设计过程中特别考虑了放大器的稳定性和增益平坦度.采用0.25 μm栅长的GaAs PHEMT工艺完成了芯片制造,微波性能测试结果表明,在12～18 GHz内,该放大器输出功率大于27 dBm,功率增益大于27 dB,输入回波损耗大于12 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋永红	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	6	2.0	2.0