PECVD 分层结构对提高氢化非晶硅 TFT迁移率的影响

• 作者: 于遥 张晶思 谷至华 郭睿倩 陈黛黛
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 非晶硅薄膜晶体管 电子迁移率 欧姆接触层 栅极绝缘层
• 年，卷（期）: 2013,（13）
• 页码范围: 138501-1-138501-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.138501

摘要

为了进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管(a-Si：H TFT)的场效应电子迁移率,研究了批量生产条件下对欧姆接触层和栅极绝缘层进行多层制备,不同的工艺参数对 a-Si：H TFT 场效应电子迁移率的影响.研究表明随着对欧姆接触层(n+层)分层数的增加,以及低速生长的栅极绝缘层(GL 层)和高速生长的栅极绝缘层(GH 层)厚度比值提高, a-Si：H TFT 的场效应迁移率得到提升.当 n+层分层数达到3层, GL 层和 GH 层厚度比值为4：11时,器件的场效应电子迁移率达到0.66 cm2/V·s,比传统工艺提高了约一倍,显著改善了 a-Si：H TFT 的电学特性,并在量产线上得到了验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭睿倩	复旦大学先进材料实验室平板显示中心	14	17	3.0	4.0
2	谷至华	复旦大学先进材料实验室平板显示中心	6	36	3.0	6.0
3	于遥	复旦大学先进材料实验室平板显示中心	1	2	1.0	1.0
4	张晶思		1	2	1.0	1.0
5	陈黛黛	复旦大学先进材料实验室平板显示中心	1	2	1.0	1.0